H2SJ598_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:125mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道场效应管（MOSFET）具有良好的电气性能，适用于多种电子设备。其最大连续漏极电流可达10A，能够满足较高功率需求的应用；最大漏源电压为60V，确保在较宽的电压范围内稳定工作；导通电阻为125mΩ，有助于控制功耗并提高效率；栅源电压范围达到20V，提供广泛的驱动兼容性。这款MOSFET适合用于电源管理、开关电路以及需要可靠性和效率的消费电子产品中。
