HHUF76429D3ST_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）支持高达30A的连续排水电流（ID），并且能够在60V的漏源电压（VDSS）条件下正常工作。其导通电阻（RDSON）低至22毫欧，在20V的栅源电压（VGS）控制下展现出良好的导电性能。该MOSFET适用于多种消费电子产品的设计，如适配器、充电器等场合的高效电源管理，以及需要低损耗切换的应用，确保了电路在高频操作下的稳定性和效率。
