HNTMFS4C08NT1G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:90A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有90安培的最大连续漏极电流和30伏特的漏源击穿电压，适合应用于需要高效能和高可靠性的电路中。其极低的导通电阻仅为3.5毫欧，显著降低了功率损耗，提升了系统的整体效率。配合20伏特的栅极阈值电压，确保了快速而精确的开关控制能力。该MOSFET适用于各种电源转换、信号处理等应用场景，能够满足复杂电子系统对元件性能的严格要求。
