HNP32N055ILE_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的持续漏极电流能力和60V的漏源电压耐受值，适用于需要高效率开关操作的应用场景。其导通电阻仅为22毫欧姆，确保了在工作时维持较低的功耗与温度上升。栅源电压范围为20V，提供了良好的驱动兼容性。凭借这些特性，该MOSFET非常适合于电源管理、信号转换及放大等场合，在保证系统稳定的同时实现高效能表现。
