HSTR2P3LLH6_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.2A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET具备4.2A的漏极电流（ID），适合应用于要求不高且稳定的电流环境中。其最大漏源电压（VDSS）为20V，能够在常见的低压系统中提供可靠的性能。导通电阻（RDSON）为48毫欧，有助于减少工作时的功率损耗。栅源电压（VGS）的最大值为12V，提供了足够的裕量以确保在不同驱动条件下都能安全工作。适用于消费电子产品中的电源开关、电池保护电路以及小型设备中的信号级应用。
