HAOSP21357_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5.8mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款P沟道场效应管（MOSFET）具备15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源极击穿电压（VDSS），确保了其在高压环境下的稳定性能。其导通电阻（RDON）仅为5.8毫欧，在高电流应用中能够显著减少功率损耗，提高效率。栅源极电压（VGS）的最大值为20V，提供了宽泛的操作范围，便于与多种电路设计兼容。此元件适用于电源管理、信号切换等应用场景，是高性能电子设备的理想选择。
