HIPD50N06S4L12ATMA2_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续排水电流（ID），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为11毫欧，在20V的栅源电压（VGS）下能有效降低功耗。该MOSFET适用于需要高效能与可靠性的电子设计中，如电源管理、便携式设备的电源开关以及适配器中的开关应用等。其优良的电气特性使其成为设计紧凑型高性能电路的理想选择。
