HDMN6140L13_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:72mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有3A的连续排水电流（ID），可承受最高60V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为72毫欧，在20V的栅源电压（VGS）下工作，有助于在高频率操作中保持较低的功耗。此MOSFET适合用于各种电子设备中的电源管理，例如在适配器或充电器中的开关应用，以及在消费电子产品内的电源路径控制，确保了电路的安全性和效率。
