HFDMC4435BZ_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:35A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:13mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道场效应管（MOSFET）具有35安培的最大连续漏极电流（ID）和30伏特的最大漏源电压（VDSS），能够承受较高的工作压力。其导通电阻（RDS(on)）为13毫欧，有助于降低在大电流条件下的能量损失，提升整体效率。该器件支持高达25伏特的栅源电压（VGS），增强了其开关性能。适用于各种需要精确电流控制和高效能表现的电路设计，如电源管理、信号处理等领域。
