HSTS5P3LLH6_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5.8A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:43mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的最大工作电压VDSS，适用于需要稳健电压处理的设计。其连续漏极电流ID为5.8A，在常温下能够支持较高电流的应用。导通电阻RDSON仅为43毫欧，有助于提高效率并减少发热。栅源电压VGS的绝对值可达20V，提供稳定的驱动能力。该MOSFET适用于日常电子设备中的负载开关、电源稳压以及逆变电路等领域。
