HDMN63D1LW13_SOT-323_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-323 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.1A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1300mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道MOSFET具有0.1A的连续排水电流（ID），适用于低功率需求的电路设计。其最大漏源电压（VDSS）为60V，能够有效防止过压损坏。导通状态下的电阻（RDSON）为1300毫欧，适合于对功耗要求不高的应用中。栅源电压（VGS）的最大值为20V，使得它能够兼容多种逻辑电平控制信号。该MOSFET特别适用于便携式设备、家用电子装置中的电源管理或信号处理等场景。
