HSI2319DDST1GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:68mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具备5A的连续漏极电流能力和40V的漏源电压耐受值，适用于中低功率应用。其导通电阻为68毫欧姆，在确保电路稳定的同时控制了功耗。栅源电压范围达到20V，使得该器件能够与多种逻辑电平兼容。此类MOSFET非常适合于便携式设备、消费电子产品中的电源管理和信号开关等功能，提供了可靠的性能表现。
