HNTR3C21NZT1G_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6.5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:14mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有6.5A的最大漏极电流（ID），能够在高达20V的漏源电压（VDSS）环境下稳定操作。其导通电阻（RDSON）仅为14毫欧，在12V的栅源电压（VGS）条件下展现出色性能。该MOSFET适用于多种电子设备中的开关应用，例如在个人电子产品中的电源路径管理、电池供电装置内的切换开关，以及小型化的DC-DC转换器中作为高效能的功率级元件使用，确保了电流传输的效率与系统的可靠性。
