HNTMFS4C06N_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:90A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）提供90安培的最大连续漏极电流（ID）和30伏特的最大漏源电压（VDSS），适合应用于需要高电流承载能力的场合。其极低的导通电阻（RDS(on)）仅为3.5毫欧，能够在大电流条件下显著减少热损耗，提高系统效率。支持最高20伏特的栅源电压（VGS），确保了快速、可靠的开关响应。适用于电源转换、电池管理系统以及其它要求高性能、低功耗的电子装置中。
