HRJK03M4DPA_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:90A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有90A的最大连续漏极电流，支持最高30V的漏源电压，适用于要求高电流承载能力的电路。其极低的导通电阻仅3.5毫欧，显著减少了发热，提高了系统的整体效率。配合±20V的栅源电压，保证了广泛的驱动兼容性和稳定性。该元件适合应用于需要快速开关响应和低损耗的场合，例如电源转换、电池管理及电子负载控制等领域。
