HSi4435BDY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:11A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:13mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具备出色的性能参数，适用于多种电子设备。其最大连续漏极电流可达11A，确保了良好的负载驱动能力；漏源电压为30V，提供了足够的电压承受范围以适应不同电路需求。该器件的导通电阻仅为13mΩ，有助于减少能量损耗并提高效率。此外，它支持高达20V的栅源电压，允许更宽泛的设计灵活性。此款MOSFET特别适合要求高效率、低功耗及紧凑设计的应用场合，是构建高效开关电路的理想选择。
