HAM6968N_TSSOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TSSOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:6A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:21mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款NN沟道场效应管（MOSFET）具有6A的最大连续漏极电流，适用于中等功率需求的电路设计。其漏源电压为20V，能够满足多数消费电子及家用电器中的低压应用要求。该器件拥有21mΩ的低导通电阻，有助于减少能量损耗并提高系统效率。栅源电压范围为12V，确保了良好的控制特性和驱动能力。此款MOSFET适合需要高效开关性能和紧凑布局的应用场景，如电源管理、信号转换等领域。
