HFDD050N03B_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）提供100A的最大连续漏极电流，可承受30V的最大漏源电压，适合于需要高电流密度的应用场景。其导通电阻低至3.8毫欧，有助于减少工作时的热损失，提高能源效率。该MOSFET的栅源电压范围为±20V，确保了与多种驱动电路的良好兼容性。它适用于电源供应、电池管理和信号放大等多种电路设计中，是实现高效能、低损耗操作的理想选择。
