HNTR3A052PZT1G_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:35mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具备5A的最大漏极电流（ID），并能承受最高20V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）在12V的栅源电压（VGS）条件下为35毫欧。该MOSFET适用于需要精确电流控制的应用，例如在消费电子产品中作为逻辑电平开关或在便携式装置中实现电源路径管理，确保了电路的稳定性和能效。
