HSTD36P4LLF6_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID），适用于要求严苛的大电流应用环境。其最大工作电压（VDSS）为40V，确保了在多种电压环境下可靠的工作性能。导通电阻（RDSON）仅为10毫欧，有助于减少能量损耗，提高效率。此MOSFET的最大栅源电压（VGS）为20V，提供了宽泛的操作范围，便于设计灵活性。这些特性使得它成为高性能电源管理和逆变电路的理想选择。
