HAOT10N65_TO-220H_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:860mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为10A，漏源击穿电压VDSS高达650V，导通电阻RDON为860mΩ，栅源电压VGS为30V。该器件具备较高的耐压能力和稳定的开关特性，适合对功率控制要求较高的电路环境。适用于电源转换、电机驱动、高电压功率开关以及各类消费类电子设备中的功率管理模块，可为系统提供高效、可靠的能量控制支持，是一款性能均衡的基础半导体元件。
