HNP32N055SLE_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30安培的最大漏极电流ID，能够支持较高功率的应用场景。其最大漏源电压VDSS达到60伏特，适用于多种工作环境下的电路设计。该器件的导通电阻仅为22毫欧姆，确保了低功耗和高效运行。栅源电压VGS在±20伏特范围内工作，使得它成为需要良好热性能与可靠性的电子设备的理想选择，如电源管理、消费电子产品等。
