HHUF76429D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有30A的连续漏极电流（ID）能力，最大漏源电压（VDSS）为60V，并能在20V的栅源电压（VGS）下工作。其导通电阻（RDSON）仅为0.022Ω，有效降低了导通状态下的能量损耗，提高了系统的整体效率。该MOSFET适用于消费电子产品的电源管理，如电池充电控制、直流电机驱动以及其他需要高效能电力转换的应用场合。
