HSI2302ADST1_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:2.3A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备2.3A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为20V，导通电阻仅为48毫欧姆，确保了低功耗和高效率。其栅源电压范围可达12V，适用于需要精确控制电流的各种电子电路中。此MOSFET因其良好的热稳定性和快速开关特性，在消费电子、家用电器等领域有着广泛的应用前景，是实现高效电源管理和信号控制的理想选择。
