HSI2351DST1GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:2.3A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:120mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管支持2.3A的连续漏极电流，具备20V的最大漏源电压能力。其导通电阻为120毫欧姆，确保了在工作时具有较低的能量损耗。栅源电压范围达到12V，适合于需要高精度控制的应用场合。由于其优良的电气特性和可靠性，该MOSFET非常适合用于消费电子产品及家用设备中的电源管理电路、负载开关以及其他要求高效能转换和稳定工作的电子设计中。
