HFDD5810_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道MOSFET拥有30A的导通电流（ID/A），能够承受60V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）下工作。此MOSFET适用于各类电子装置中的电源管理，例如在电池充电控制、DC/DC转换器以及便携式电子产品的电源路径管理中，它能够提供可靠的开关性能。其低导通电阻有助于减少电力损耗，从而提高整体效率，并且在高频应用中表现出色。
