HSSM6N7002CFULF_SOT-363_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.1A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1300mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.1A的连续漏极电流（ID）能力，在60V的最大漏源电压（VDSS）下能够稳定工作。其导通电阻（RDSON）仅为1.3Ω（1300毫欧），并在±20V的栅源电压（VGS）范围内操作。此MOSFET适用于多种电路设计场合，如消费电子产品中的电源管理、信号开关以及低功耗应用中作为高效能的电子开关或放大器元件。其紧凑的设计和良好的热性能使其成为便携式设备的理想选择。
