HSI1926DLT1E3_SOT-363_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.1A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1300mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道增强型场效应管（MOSFET）设计有0.1A的连续排水电流（ID），并能承受高达60V的断态电压（VDSS）。其特征还包括在20V栅源电压（VGS）下的导通电阻（RDSON）为1300毫欧。该MOSFET适用于低电流需求的应用场景，如消费电子产品的电池保护电路、便携装置中的负载开关或信号调节等，能够在小电流环境下提供可靠的性能。
