HTK7A65DSTA4QM_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:860mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有10A的连续电流能力（ID），能够承受高达650V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为860毫欧，在30V的栅源电压（VGS）下工作时，可有效控制高电压条件下的电流流动。该MOSFET适合用于高电压要求的消费电子产品中，如适配器、充电器以及家用电器的电源管理系统，为这些应用提供了可靠的开关性能和电压保护功能。
