HDMNH6008SPSQ13_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:5.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80A的连续漏极电流（ID）处理能力，能够在最高60V的漏源电压（VDSS）下工作。其导通电阻（RDSON）低至5.3毫欧，确保了高效率的能量转换。该MOSFET支持最大±25V的栅源电压（VGS），适用于大功率应用，例如高性能计算设备中的电源管理系统、可再生能源技术中的逆变器电路以及需要快速切换频率的PWM控制器等场合，提供可靠的电流调节和保护功能。
