HAOTF8N65_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:860mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有10A的最大工作电流（ID/A），能够承受高达650V的漏源电压（VDSS/V），适用于高电压应用场合。其导通电阻（RDSON/mR）为860毫欧姆，在大电流通过时可保持较低的功率损耗。栅源电压（VGS/V）的绝对值可达30V，提供了宽泛的驱动信号范围。此MOSFET适合用于需要处理较高电压与较大电流的应用，例如在消费电子产品的电源转换或保护电路中。
