HSUP90N1518PE3_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:150V 参数3：RDON:9.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管(MOSFET)具有120A的连续漏极电流能力，支持高达150V的漏源电压。其导通电阻仅为9.5mΩ，有助于减少功耗并提高效率。栅源电压范围为20V，确保了在广泛的工作条件下稳定可靠的性能。这款MOSFET适用于需要高效率和快速开关速度的应用场合，比如电源管理、消费电子产品中的负载切换等场景，是实现紧凑设计与优异热性能的理想选择。
