HRRH090P03GZETB_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:12A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET具备12A的漏极电流（ID/A），最高工作电压（VDSS）为30V，导通状态下漏源之间的电阻（RDSON）低至10毫欧，有助于减少能量损失。其栅源电压（VGS）额定值为±20V，便于电路设计中的精确控制。该MOSFET适合应用于要求高效转换与稳定性的电子产品中，例如日常家用电器内的电源管理系统或智能设备中的负载开关电路。
