HBSZ0901NSIATMA1_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:150A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:2mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高达150A的连续漏极电流（ID/A），适合应用于大电流需求的电路设计中。其耐压值（VDSS/V）为30V，适用于低压大电流场景。导通电阻（RDSON/mR）低至2毫欧，有助于减少电力损耗，提高系统的整体效率。栅源电压（VGS/V）的最大承受范围为20V，确保了驱动兼容性。该MOSFET可以用于高性能的电源开关、逆变器以及需要快速开关特性的电子装置中。
