HRQ5C025TPTL_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具有3A的最大连续漏极电流（ID）和20V的漏源击穿电压（VDSS），适用于多种电路设计。其导通电阻（RDON）仅为60毫欧，在12V栅源电压（VGS）下能够提供高效的电流控制能力，减少能量损耗。该元件适合用于电源管理、信号切换等应用场景，确保稳定可靠的性能表现。
