HSQD25N0622LGE3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道MOSFET拥有30A的连续漏极电流（ID/A）能力，能够承受高达60V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，有效降低了导通状态下的功耗。栅源电压（VGS）的最大范围为±20V，提供了可靠的驱动性能。该MOSFET适用于多种需要快速开关及高效能的应用场景，如个人电子设备中的DC/DC转换器或家庭娱乐系统的电源管理模块。
