HDMNH6008SPS_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:5.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的最大持续电流（ID/A），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS/V）。导通电阻仅为5.3毫欧（RDSON/mΩ），可在高功率应用中减少能量损失。此MOSFET的栅源电压（VGS/V）额定值为25V，确保了可靠的开关性能。适用于要求高效能和低功耗的应用场景，如便携式设备电源管理或消费电子产品中的电流控制等。
