HSTS9P3LLH6_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:11A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:13mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）提供11A的最大连续漏极电流ID，支持30V的漏源电压VDSS。其导通电阻为13mΩ，有助于减少能量损耗并提高效率。栅源电压VGS达到20V，保证了可靠的开关控制。适用于需要紧凑设计与良好热性能的小型电子装置，如移动电源、LED驱动电路等领域，能够满足对稳定性和可靠性有较高要求的应用场景。
