HDMN601DWK7_SOT-363_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.1A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1300mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）设计有0.1A的额定电流，适用于低功率应用。其最大漏源电压（VDSS）为60V，确保了在高压环境下也能稳定工作。该MOSFET的导通电阻（RDSON）高达1300毫欧，表明它更适合用在对导通损耗不敏感的电路中。栅源电压（VGS）的最大值为20V，提供了足够的驱动范围。此类MOSFET常应用于电子玩具、智能家居配件或小型电子装置的信号处理与控制电路中。
