HSQ4425EYT1GE3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:12A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）的最大工作电流（ID/A）为12A，工作电压（VDSS/V）最高可达30V。其导通电阻（RDSON/mR）为10毫欧姆，在栅极电压（VGS/V）达到20V时表现出优良的导通特性。该MOSFET适用于消费电子产品中的负载开关、电源管理和信号切换等应用，能够在要求低功耗和高可靠性的电路设计中发挥关键作用。
