HSI2367DST1GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET具有3A的连续漏极电流（ID/A），可在高达20V的漏源电压（VDSS/V）环境下可靠操作。其导通电阻（RDSON/mR）为60毫欧姆，在12V的栅源电压（VGS/V）条件下展现出良好的导电性能。适用于多种低功率需求的场合，例如消费电子产品的负载开关或电池供电设备中的电源路径管理，其低功耗特性有助于延长设备的运行时间。此元件的小型化和高效性使其成为设计精密电子装置时的重要组件。
