HRRH090P03_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:12A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET具备12A的最大持续电流（ID/A），并能承受30V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）为10毫欧，有效降低了导通状态下的电力损耗。栅源电压（VGS/V）为20V，保证了良好的开关性能。适用于各种需要高效能和稳定性的电路设计，如日常电子设备中的电源管理模块或是消费性产品的负载保护电路。
