HSIR882DPT1GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID/A），可在高达100V的漏源电压（VDSS/V）下正常操作。其导通电阻（RDSON/mR）仅6.4毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）条件下，有效降低了导通时的功耗。该MOSFET适用于消费电子产品中的开关电源、DC/DC转换器及各类负载开关应用，有助于提升系统的整体效率与可靠性。
