HDMN601DWK_SOT-363_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.1A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1300mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的排水电流（ID），能够承受60V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为1300毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时提供可靠的性能。该MOSFET适用于对电流需求不高但对电压敏感的应用，如消费电子产品的信号级驱动或低压控制电路中作为开关使用。其特性使得它在需要精细控制的小信号处理场合中表现良好。
