HSQD23N0631L_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:27mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的连续排水电流（ID），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS），其导通电阻（RDSON）仅为27毫欧，在栅源电压（VGS）为20V的情况下表现出良好的导电性能。该MOSFET适用于需要高效能开关的应用中，如电源管理、便携式设备中的负载开关以及需要快速切换状态的电路设计。其低导通电阻有助于减少功耗，适合追求高效率转换的电子产品。
