HIPD30N03S4L09ATMA1_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的最大工作电压（VDSS），可在高达100A的连续电流（ID/A）下工作，并且在导通状态下拥有低至3.8毫欧的漏源电阻（RDSON）。其最大栅源电压（VGS）为±20V，适合用于要求低功耗和高效率的电路设计中，例如便携设备充电器或家用电器的电源转换电路，能有效提升系统的整体效率并降低发热。
