HIPD25N06S4L30_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID），适用于要求较高电流承载能力的设计。其最大漏源电压（VDSS）为60V，适用于低压大电流应用环境。导通状态下的低电阻（RDSON）仅22毫欧，有助于减少电力损耗，提高效率。最大栅源电压（VGS）为20V，提供稳定的控制信号范围。该MOSFET适用于消费电子产品中，如开关电源、LED照明驱动及电池管理系统等场合。
