HIRFZ44NSTRLPBF_TO-263_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:55V 参数3：RDON:9mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备49A的连续排水电流（ID/A），能够承受高达55V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为9毫欧（mΩ），有助于降低功耗，在高负载条件下依然保持高效能。该器件支持最大±20V的栅源电压（VGS/V），增强了操作灵活性。适用于消费电子产品中的电源转换与管理，以及便携设备中的负载开关等功能。
