HIPD220N06L3GBTMA1_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）设计用于高效率的电流控制应用，支持高达50A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）。其15毫欧的导通电阻（RDON）在20V栅源电压（VGS）下表现出色，有效减少了功率损失，提升了系统效率。该MOSFET适用于电源供应、电池管理及电子设备中的快速开关操作，确保了设备运行的稳定性和安全性。
