H2N7002DWS7_SOT-363_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.1A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1300mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的额定电流（ID），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为1.3Ω，在20V的栅源电压（VGS）下工作。该MOSFET适用于要求低功耗和高效率的应用场景，如便携式设备、消费电子产品中的电源管理及信号处理领域，能有效提升系统的整体性能。
